Gravação Eletrónica de Informação
Código
11049
Unidade Orgânica
Faculdade de Ciências e Tecnologia
Departamento
Departamento de Ciências dos Materiais
Créditos
6.0
Professor responsável
Joana Maria Doria Vaz Pinto Morais Sarmento
Horas semanais
5
Total de horas
5
Língua de ensino
Português
Objectivos
No final desta unidade curricular pretende-se que o aluno tenha noções consolidadas sobre os diferentes tipos de memórias (voláteis e não voláteis) e arquiteturas atualmente existentes, dando um enfoque especial à tecnologia Flash no ponto de vista da fabricação e caracterização. Pretende-se que o aluno adquira competências inerentes à caracterização elétrica dos dispositivos de memória. Irão ser abordadas as tecnologias emergentes nesta área e pretende-se ainda que o aluno possa desenvolver um conhecimento crítico e fundamentado nesta área onde estão ser lançados novos trabalhos de investigação no departamento de Ciências dos Materiais.
Pré-requisitos
A unidade curricular não tem este ano precedências obrigatórias, embora seja recomendao que os estudantes tenham os conceitos inerentes às disciplinas de:
Física I e Eletromagnetismo (Física II ou III)
Microelectrónica
Conteúdo
- Evolução da tecnologias de Armazenamento e memória: Classificação e requisitos
- Memória e Gravação de informação: Processamento de informação e armazenamento.
- Memórias com base na tecnologia dos Semicondutores; Arquiteturas e componentes
- RAM (SRAM, DRAM), ROM (Mask ROM, PROM, EPROM)
- Tecnologia Flash:
- Principios de fabricação e caracterização
- Optimização (materiais, camadas de armazenamento e carga, configurações)
- Limitações
- Memórorias RAM Ferro-eléctricas (FeRAM)
- Memórias de Mudança de Fase (PCM-RAM)
- Memórias RAM resistivas ReRAM
- CBRAM (Conductive Bridge RAM)
- Memristors para memórias não voláteis
Bibliografia
- D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd ed., Wiley (2006).
- A.K. Sharma, Advanced Semiconductor Memories: Architectures, Designs and Applications, Wiley -IEEE Press, (2002).
- Hai Li and Yiran Chen, Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing, CRC Press, (2011).
- B. Jacob, S.W. Ng, D.T. Wang, Memory Systems: Cache, DRAM, Disk, Morgan Kaufmann Publishers, Elsevier, (2008).
- M.A. Plonus, Applied Electromagnetics, McGraw-Hill (1986)
Método de avaliação
Nota final: (50% parte teórica + 50 % parte prática)
A componente teórica terá um peso de 50% do valor da nota final, pode ser obtida por duas vias:
i) realização de 3 testes durante o semestre (T1, T2 e T3) e em que a média dos testes deverá ser superior a 9.5 valores;
ii) Realização de uma exame no final do semestre que engloba toda a matéria e em que para aprovação à cadeira a nota deverá ser superior a 9.5 valores.
A componente prática tem um peso de 50 % na nota final e é obtida através da frequência nas aulas práticas P - 10%, resposta a questionários práticos em grupo 20% que irão ser fornecidos aos alunos durante as aulas práticas e resposta a um teste Prático individual que irá ocorrer simultaneamente com T3; MT 20%.
Frequência:
- Componente prática aprovada. (superior a 9.5 valores)